TELEDYNE DALSA CCD制造_Teledyne_DALSA

TELEDYNE DALSA CCD制造

2013/7/4 17:08:19

Teledyne DALSA半导体的150毫米CCD工艺具有两或三层的晶硅层和一，二或三层金属层, 提供高达15V的表面或埋沟操作. 模块化的处理方法，使我们的代工客户可以通过调整工艺参数来满足最苛刻的要求, 比如CTE（99.999％），储存电荷的能力，并暗电流（<1nA/cm2）。基础工艺使用1X投影光刻与2.5μm的设计规则，最多允许管芯尺寸为100mm×100mm的。如需要更严格的对准公差和更小的特征尺寸可以使用5倍光刻，使用混合使用和匹配或全部步进的方法。使用步进可达到最大晶片尺寸 22毫米x 22毫米，要达到更大的传感器可以采用拼接。

我们的CCD技术可广泛调谐; p或n-型，散装或epi起始原料的电阻率可以在宽范围内定义，包括浮区硅可到10kΩ每厘米。可以添加客户指定埋通道和障碍植入适合自己的应用，通道停止，防晕染植入物或其他特殊功能。在已成功的项目中包括抗辐射PMOS的CCD，和世界上分辨率最高的单片器件-像素超过2.5亿像素。